光敏三極管PT850-F3
■特征Features
響應時間快（Fast response times）。
高光敏性（High photo sensitivity）。
小結電容（Small junction capacitance）。
替代傳統CDS光敏電阻，不含鎘、鉛等有害物質，符合歐盟ROHS標準（Instead of the traditional CDS photosensitive resistance, contain cadmium, lead and hazardous substances, ROHS compliant）。用于光控類產品，控制晝夜切換（For optical control products, control day and night switching）。
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參數 Parameter |
符號 Symbol |
最大額定值 Rating |
單位 Units |
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工作電壓 Supply input Voltage |
VCC |
12 |
V |
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工作環境溫度 Operating Temperature |
Topr |
-25~+85 |
℃ |
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儲存環境溫度 Storage Temperature |
Tstg |
-40~+100 |
℃ |
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焊接溫度 Lead Soldering Temperature |
Tsol |
260 |
℃ |
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25℃或低于 25℃環境下功耗Power Dissipation at(or below)25℃ Free Air Temperature |
PC |
70 |
mW |
■光電特性Electro-Optical characteristics(Ta=25℃)
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參數 Parameter |
符號Symbol |
條件Condition |
最小值Min. |
中間值Typ. |
最大值Max. |
單位Units |
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集電極發射極擊穿電壓Collector-Emitter Breakdown Voltage |
BVCEO |
Ic=100μA Ee=0mW/cm2 |
30 |
--- |
70 |
V |
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發射極集電極擊穿電壓Emitter-Collector Breakdown Voltage |
VECO |
IE=100μA Ee=0mW/cm2 |
5 |
--- |
--- |
V |
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集電極發射極飽和電壓Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sta) |
Ic=2mA Ee=1mW/cm2 |
--- |
--- |
0.4 |
V |
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啟動延時Rise time |
Tr |
VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω |
--- |
15 |
--- |
μS |
|
關閉延時Fall Time |
Tf |
--- |
15 |
--- |
||
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暗電流Collector Dark Current |
ICEO |
Ev=0mW/cm2 VCE=20V |
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--- |
100 |
nA |
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亮電流On StatCollector Current |
IC(on) |
Ev=10lux 590nmVCE=5v |
7 |
--- |
8 |
uA |
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接收峰值光譜 Wavelength of Peak Sensitivity |
λρ |
--- |
400 |
850 |
1100 |
nm |
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